LM12FF-G
12 nm FinFET, genel amaçlı
Teknoloji tanımı tamamlandı; cihaz modelleri hazırlanıyor.
LM12FF-G, 12/16 nm sınıfı bir bulk FinFET kitidir ve ailenin ilk üç boyutlu transistörüdür. Akım, kapının üç yandan sardığı, 42 nm yüksekliğinde ve 8 nm genişliğinde ince silisyum fin'ler boyunca akar. Bu yapı, kısa kapı uzunluklarında kaçak akımı planar bir transistörden çok daha iyi kontrol eder; FinFET'lerin 20 nm'nin altında planar cihazların yerini almasının nedeni budur.
Neden 12/16 nm FinFET
12/16 nm sınıfı, FinFET'in en yaygın kullanılan neslidir: olgun bir teknolojidir; uygulama işlemcilerinde, ağ çiplerinde, yapay zekâ hızlandırıcılarında ve otomotiv işlem birimlerinde yaygın olarak kullanılır. Fin'lere bağlı pek çok tasarım etkisinin (kuantize transistör genişliği, öz ısınma, sıcaklık terslenmesi) ilk ortaya çıktığı düğümdür.
Teknoloji özeti
| Besleme | 0,75 V nominal |
| Kontaklı kapı aralığı | 90 nm |
| Kapı uzunluğu | 30–34 nm |
| Fin aralığı / yüksekliği / genişliği | 48 / 42 / 8 nm |
| Eşdeğer oksit kalınlığı | 0,8 nm |
| Metal yığını | 11 katman, 64 nm minimum aralık |
| Hücre yükseklikleri | 7,5 ve 9 track |
| Eşik gerilimleri | SVT, LVT, ULVT |
| Cihaz modeli | BSIM-CMG |
Transistörler
Transistör genişliği tam fin sayısıyla belirlenir, bu yüzden sürüş gücü kuantizedir; hücre üretecimiz bu tasarım tercihini doğrudan ele alır. Kaçak akım hedefleri tutturuldu; sürüş akımları, kütüphaneler oluşturulmadan önce yayımlanmış 16 nm ve 14 nm verilerine göre iyileştiriliyor.
Ara bağlantı
Öne çıkan analiz: öz ısınma ve sıcaklık terslenmesi
Fin'ler ısıl olarak yalıtılmıştır: anahtarlama sırasında ısınırlar ve ısının dışarı çıkabileceği yollar azdır. Aynı zamanda düşük besleme gerilimlerinde FinFET devreleri ısındıkça hızlanır (sıcaklık terslenmesi). İkisi de zamanlama için en kötü çalışma koşulunun hangisi olduğunu değiştirir. Bu etkileri, araçlarımızın doğru köşeleri seçmesi için sayısal olarak ortaya koyacağız.
Kaynaklar
Yayımlanmış 16 nm ve 14 nm FinFET proses makaleleri, uluslararası yol haritası tabloları (ITRS 2013) ve bu düğüme ölçeklenmiş ASAP7 araştırma kitinin serim kuralları.
Sırada ne var
Son cihaz fit'i, ardından iki yükseklikte ve üç eşik gerilimi türünde standart hücre kütüphaneleri, sonra karakterizasyon; LM40PB-L ile aynı akışla.