LM130PB-G
130 nm planar bulk, genel amaçlı
Teknoloji tanımı ve cihaz modelleri tamamlandı; standart hücreler üzerinde çalışılıyor.
LM130PB-G, 130 nm sınıfı genel amaçlı bir kittir: silisyum dioksit kapı oksitli planar bulk transistörler, tek bir 1,2 V beslemede üç eşik gerilimi türü, G/Ç ve analog için kalın oksitli 3,3 V cihazlar ve kablolar arasında florlu oksit bulunan altı katmanlı bakır ara bağlantı. Ailenin en eski ve payları en geniş düğümüdür.
Neden 130 nm
130 nm, piyasaya çıkışından yirmi yılı aşkın süre sonra hâlâ yüksek hacimde üretiliyor: güç yönetimi, motor kontrolü, sensörler, otomotiv ve endüstriyel çipler, ayrıca yoğunluktan çok 3,3 V'a ve sağlam analog cihazlara ihtiyaç duyan pek çok karma sinyal tasarımı. Bakır kablolamanın endüstri standardı hâline geldiği nesil de budur; bu da onu ailedeki her ara bağlantı eğilimi için doğal bir başlangıç noktası yapar.
Teknoloji özeti
| Besleme | 1,2 V çekirdek (1,08–1,32 V köşeleri), 3,3 V G/Ç |
| Kontaklı kapı aralığı | 455 nm |
| Kapı uzunluğu | 65 nm (LVT), 90 nm (SVT, HVT) |
| Kapı oksidi | Türe göre 1,45–2,6 nm; 3,3 V cihazlarda 7 nm |
| Metal yığını | 6 bakır katman, 350 nm ilk metal aralığı, florlu oksit (k 3,6) |
| Hücre yükseklikleri | 9 track (3,15 µm) ve 12 track (4,2 µm) |
| Eşik gerilimleri | HVT, SVT, LVT |
| Cihaz modeli | BSIM4 |
Transistörler
Üç tür, 2001 yol haritasının üç mantık cihazıdır; o yıl üçü de 1,2 V'ta çalışıyordu: sürekli açık mantık için düşük bekleme güçlü bir cihaz, günlük iş yükü için düşük çalışma güçlü bir cihaz ve hızın kritik olduğu yollar için yüksek performanslı bir cihaz.
| Cihaz | Kaçak akım (nA/µm) | Sürüş akımı (µA/µm) |
|---|---|---|
| nMOS HVT / SVT / LVT | 0,001 / 0,1 / 10 | 300 / 600 / 900 |
| pMOS HVT / SVT / LVT | 0,001 / 0,1 / 10 | 147 / 294 / 441 |
Ara bağlantı
350 nm ilk metal aralığından en üst katmanda 1,2 µm'ye kadar altı bakır katman; katman kalınlıkları yayımlanmış bir 130 nm prosesinden alındı. Bu genişliklerde bakır hâlâ yığın özdirencine yakındır: en dar kablonun direnci mikrometre başına yaklaşık 0,44 Ω'dur; 40 nm'dekinin onda birinden de az.
Öne çıkan analiz: olgun bir düğümde karma sinyal
Kitin analizi, 130 nm'yi karma sinyal ürünlerinde tutan şeylere bakacak: 1,2 V çekirdeğin yanındaki kalın oksitli 3,3 V cihazlar ve yol haritasının kaynaklı eşleşme katsayılarından, cihaz alanına göre analog transistör eşleşmesi.
Kaynaklar
2001 uluslararası yol haritası (cihaz, analog ve ara bağlantı tabloları) ve yayımlanmış bir 130 nm mantık prosesi (kapı aralığı ve tüm metal yığını).
Sırada ne var
3,3 V cihaz çifti; ardından 40 nm kitimizle aynı üreteç ve denetimlerle 9 ve 12 track'lik kütüphaneler.